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日本电子JBX-3200MV电子束光刻系统
产品规格:拼接精度≦±3.5 nm套刻精度≦±5 nm JBX-3200MV是用于制作28nm~22/20nm节点的掩模版/中间掩模版(mask/reticle)的可变矩形电子束光刻系统
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日本电子JBX-6300FS 电子束光刻系统
≦2.9nm)可以描画8nm以下(实际可达5nm)极为精细的图形。JBX-6300FS 电子束光刻系统JBX-6300FS的电子光学系统在100kV的加速电压下能自动调整直径为(计算值)2.1nm的
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日本电子JBX-3050MV 电子束光刻系统
产品规格:拼接精度≦±3.8 nm套刻精度≦±7 nm JBX-3050MV 是用于制作45nm~32nm 节点的掩模版/中间掩模版(mask/reticle)的可变矩形电子束光刻系统
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日本电子JBX-9500FS电子束光刻系统
µm×1000µm)写场内位置精度≦±9nm(场尺寸为1000µm×1000µm)定位DAC20位扫描速度zei大 100MHz JBX-9500FS是一款100kV圆形束电子束光刻系统,兼具世界
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日本电子JBX-8100FS 圆形电子束光刻系统
程序的追加授权 zei新高精密JBX-8100FS圆形电子束光刻系统,通过全方位的设计优化,实现更简便的操作,更快的刻写速度,更小的占地面积和安装空间,并且更加绿色节能。JBX-8100FS 圆形
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刻蚀光栅
刻蚀光栅一、标准的刻蚀光栅规格:刻线/mm闪耀波长nm闪耀角度色散nm/mr12.7x12.7x 625x25x 625x25x 9.530x30x 9.550x50x 9.512.5x25x
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等离子刻蚀ICP
Minilock-Phantom III具有预真空室的反应离子刻蚀机可适用于单个基片或带承片盘的基片(3”- 300mm尺寸),为实验室和试制线生产环境提供最先进的刻蚀能力。它也具有多尺寸
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光刻胶
表面。当紫外光或电子束的照射时,光刻胶材料本身的特性会发生改变,经过显影液显影后,曝光的负性光刻胶或未曝光的正性光刻胶将会留在衬底表面,这样就将设计的微纳结构转移到了光刻胶上,而后续的刻蚀、沉积等工艺
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伯东NS离子刻蚀机
离子蚀刻机 20-M/NS-12 主要技术参数:基片尺寸直径 4英寸 X 12片直径 18英寸 X 3片样品台直接冷却离子源20cm 考夫曼离子源电源WELL-5100(可更换为国内电源
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离子束刻蚀/沉积系统
电子回旋共振技术(ECR)的小型离子束蚀刻系统,特别适合于科研用离子束刻蚀、减薄,清洗、沉积等。 EIS-200是Elionix推出的一款基于电子回旋共振技术(ECR
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